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品牌簡介：Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生產(chǎn)射頻功率晶體管和微波二極管。他們是一家通過ISO 9001注冊的公司，專門制造用于更換目的和新設(shè)計(jì)的過時(shí)且難以找到的組件。他們的射頻功率晶體管產(chǎn)品線主要替代摩托羅拉、飛利浦和SGS Thomson的產(chǎn)品。他們的微波二極管系列主要替代來自HP、M/A-COM、Alpha和Loral/Frequency源的那些。經(jīng)過二十多年的發(fā)展，ASI以其提供的優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、快速的服務(wù)和交貨，在全球商用和軍用通信領(lǐng)域占據(jù)了領(lǐng)先地位。美國ASI SEMICONDUCTOR主要產(chǎn)品包括：ASI射頻功率晶體管、托盤、模塊、微波二極管等。深圳市華聯(lián)歐國際貿(mào)易有限公司現(xiàn)貨供應(yīng)美國ASI SEMICONDUCTOR模塊射頻功率晶體管等全系列產(chǎn)品，特價(jià)采購，保質(zhì)保量，價(jià)格優(yōu)惠!ASI SEMICONDUCTOR產(chǎn)品一站式采購，型號齊全，一件起訂，歡迎選購!
一、美國ASI SEMICONDUCTOR公司簡介
ASI Semiconductor,Inc.(ASI)設(shè)計(jì)、供應(yīng)和銷售最先進(jìn)的高功率脈沖射頻晶體管和托盤。他們自豪地為數(shù)十個(gè)國家的數(shù)千名客戶提供服務(wù)，特別專注于航空電子設(shè)備、雷達(dá)、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用的脈沖射頻商業(yè)應(yīng)用。他們正在引入VIMOS技術(shù)以滿足這個(gè)獨(dú)特市場的需求和要求。他們支持該行業(yè)已有30多年，其中包括多個(gè)政府和財(cái)富500強(qiáng)客戶。ASI成立于1979年，并通過了ISO 9001認(rèn)證。他們的總部位于美國加利福尼亞州北好萊塢。
Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生產(chǎn)射頻功率晶體管和微波二極管。他們是一家通過ISO 9001注冊的公司，專門制造用于更換目的和新設(shè)計(jì)的過時(shí)且難以找到的組件。他們的射頻功率晶體管系列主要取代了摩托羅拉、飛利浦和SGS Thomson的產(chǎn)品。他們的微波二極管系列主要取代來自HP、M/A-COM、Alpha和Loral/Frequency源的產(chǎn)品。Advanced Semiconductor對客戶服務(wù)有著根本性的承諾，并將始終盡最大努力確保滿足您的需求。
二、美國ASI SEMICONDUCTOR部分產(chǎn)品介紹
1、美國ASI SEMICONDUCTOR VIMOS功率晶體管
①ASI Semiconductor,Inc.提供一系列RF功率晶體管，可替代M/A-COM、Microsemi、Motorola、Philips/NXP、SGS Thomson/ST Micro和Infineon的產(chǎn)品。ASI早就認(rèn)識到，他們的客戶不想被迫購買昂貴的上次購買或面臨重要組件過時(shí)的問題-這就是他們繼續(xù)提供一系列替換射頻功率晶體管的原因，如下所述。
②ASI提供雙極射頻功率晶體管、增強(qiáng)型FET射頻功率晶體管和LDMOS FET射頻功率晶體管，覆蓋1.0 MHz至4.2 GHz頻譜，輸出功率高達(dá)600瓦。射頻功率晶體管有多種密封和非密封封裝，包括平衡配置。他們的許多射頻功率晶體管設(shè)計(jì)都具有內(nèi)部阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，以提高性能。
③要查找所需的ASI射頻功率晶體管，請單擊下方相應(yīng)的應(yīng)用鏈接，或從左側(cè)的晶體管零件編號索引中按前綴選擇替換晶體管系列。要快速搜索，請?jiān)诹慵檎移魉阉骺蛑休斎肓慵幪柣蛄慵幪柷熬Y。
2、美國ASI SEMICONDUCTOR脈沖放大器設(shè)計(jì)的高功率射頻晶體管
①維莫斯TM值是一種基于數(shù)十年半導(dǎo)體工程的硅技術(shù)。GaN還處于起步階段。這些設(shè)備在堅(jiān)固性方面很脆弱，需要額外的電源復(fù)雜性，并且成本過高。
②維莫斯TM值技術(shù)專為脈沖、高功率射頻放大器而設(shè)計(jì)。另一方面，LDMOS是為無線基站設(shè)計(jì)的，后來才用于這些類型的應(yīng)用。VIMOS器件使用與其對應(yīng)的LDMOS相同的封裝，從而創(chuàng)建更堅(jiān)固的放大器并減少對單一源LDMOS的依賴性、暴露和風(fēng)險(xiǎn)。
③維莫斯TM值可以提高放大器的穩(wěn)健性，減少現(xiàn)場故障，顯著減小產(chǎn)品的尺寸和重量并提高性能，所有這些都以具有競爭力的成本進(jìn)行。
3、美國ASI SEMICONDUCTOR射頻脈沖功率晶體管
ASI的射頻脈沖功率晶體管產(chǎn)品組合經(jīng)過全新設(shè)計(jì)，可滿足高功率脈沖系統(tǒng)的特定需求。尋求TCAS射頻晶體管、IFF射頻晶體管、SSR射頻晶體管和S模式射頻晶體管的射頻設(shè)計(jì)工程師會(huì)發(fā)現(xiàn)該產(chǎn)品組合非常適合他們的獨(dú)特應(yīng)用。這些產(chǎn)品是最先進(jìn)的，結(jié)合了極端堅(jiān)固性、高射頻增益和非常高的射頻輸出功率水平。憑借高達(dá)21dB的RF增益和高達(dá)800瓦48伏的RF輸出功率水平，單個(gè)VIMOS器件可以替代多個(gè)競爭性RF晶體管，從而減少重量、尺寸、成本和設(shè)計(jì)時(shí)間。這些產(chǎn)品可以在24伏至50伏的電源電壓下運(yùn)行。
4、美國ASI SEMICONDUCTOR雷達(dá)詢問器
①相對于其他高功率RF應(yīng)用，雷達(dá)脈沖RF應(yīng)用具有獨(dú)特的設(shè)計(jì)、性能和可靠性挑戰(zhàn)。模式S-ELM射頻晶體管（也稱為模式S-EL/M或模式選擇ELM）系統(tǒng)在1030-1090MHz頻段運(yùn)行，32μs開啟/18μs關(guān)閉x48，每24毫秒脈沖條件重復(fù)一次。
②除了分立式射頻晶體管之外，ASI還提供50歐姆托盤放大器產(chǎn)品，這些產(chǎn)品的設(shè)計(jì)成本結(jié)構(gòu)允許OEM供應(yīng)商將托盤整合到他們的系統(tǒng)中。
③P1000-1215提供950瓦的功率，整個(gè)頻段的增益為15dB。ASI的托盤放大器產(chǎn)品提供現(xiàn)成的、快速上市的高性能解決方案，具有VIMOS性能和可靠性的優(yōu)勢，并且具有成本競爭力。
5、美國ASI SEMICONDUCTOR遠(yuǎn)程雷達(dá)射頻晶體管
尋求遠(yuǎn)程雷達(dá)射頻晶體管、遠(yuǎn)程超視距射頻晶體管或全天候雷達(dá)射頻晶體管的射頻設(shè)計(jì)工程師會(huì)發(fā)現(xiàn)，ASI 420-470MHz脈沖射頻功率晶體管產(chǎn)品組合非常適合他們的獨(dú)特應(yīng)用。這種應(yīng)用的苛刻要求需要非常高的射頻輸出功率水平、極端的耐用性和高射頻增益。此外，由于在現(xiàn)場更換設(shè)備的費(fèi)用很高，因此需要高度可靠的RF晶體管。射頻增益高達(dá)25dB，射頻輸出功率水平高達(dá)1100瓦，單個(gè)VIMOSTM值器件可以替代多個(gè)相互競爭的射頻晶體管，從而減少重量、尺寸、成本和設(shè)計(jì)時(shí)間。
三、美國ASI SEMICONDUCTOR主要產(chǎn)品和型號
1、美國ASI SEMICONDUCTOR主要產(chǎn)品
①美國ASI SEMICONDUCTOR遠(yuǎn)程雷達(dá)射頻晶體管
②美國ASI SEMICONDUCTOR微波二極管
③美國ASI SEMICONDUCTOR托盤
④美國ASI SEMICONDUCTOR模塊
⑤美國ASI SEMICONDUCTOR射頻功率晶體管
2、美國ASI SEMICONDUCTOR產(chǎn)品型號
①美國ASI SEMICONDUCTOR ASI微波二極管
②美國ASI SEMICONDUCTOR 420-470MHz、UHF頻段、天氣和遠(yuǎn)程雷達(dá)應(yīng)用
③美國ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz，模式S-ELM詢問器應(yīng)用
④美國ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz、TCAS、IFF SSR和Mode-S應(yīng)用
⑤美國ASI SEMICONDUCTOR HVV0912-800
⑥美國ASI SEMICONDUCTOR HVV1011-500L
⑦美國ASI SEMICONDUCTOR HVV1214-140
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